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場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

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一般是金屬—氧化物—半導體場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。MOS管1

場效應管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應管。

場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

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